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新潔能NCE80H12D高性能N溝道MOSFET在硬開關和高頻電路中的應用
NCE80H12D是一款高性能的N溝道增強型功率MOSFET，其低導通電阻（RDS(ON)）和低柵極電荷特性使其在硬開關和高頻電路中表現出色。今天，南山電子說一說新潔能NCE80H12D高性能N溝道MOSFET在硬開關和高頻電路中的應用。
硬開關電路中的應用
- 硬開關全橋電路：NCE80H12D可用于硬開關全橋電路，這種電路廣泛應用于電源供應器、UPS不間斷電源、新能源汽車充電系統和工業變頻器等。在這些應用中，NCE80H12D的高電流承載能力（120A）和低導通電阻（小于6mΩ@VGS=10V），能夠有效降低導通損耗，提高電源轉換效率。
- 開關電源設計：在開關電源中，NCE80H12D作為功率開關管，其快速的開關速度和低柵極電荷有助于提高電源的開關頻率，從而減小變壓器和電感的體積。同時，其高耐壓（80V）和高電流能力能夠滿足高功率密度的設計需求。
高頻電路中的應用
- 高頻開關電源：在高頻開關電源中，NCE80H12D的低柵極電荷和快速開關特性使其能夠工作在較高的頻率下，減少開關損耗。這有助于實現更緊湊的電源設計，同時提高電源的動態響應性能。
- 高頻逆變器：在高頻逆變器中，NCE80H12D可用于構建高頻逆變電路，其低導通電阻和快速開關能力能夠提高逆變器的效率。此外，其高耐壓和高電流能力使其能夠承受較大的負載。
NCE80H12D憑借其低導通電阻、低柵極電荷和高耐壓等特性，在硬開關和高頻電路中能夠提供高效、可靠的性能，滿足多種高功率密度和高效率的應用需求。
最后，介紹一下NCE80H12D的電氣特性。
- 關斷特性：
- 漏源擊穿電壓（BVDSS）在VGS=0V、ID=250μA時，最小值為80V，最大值為89V。
- 零柵極電壓漏極電流（IDSS）在VDS=80V、VGS=0V時，最大值為1μA。
- 柵極-體二極管漏電流（IGSS）在VGS=±20V、VDS=0V時，最大值為±100nA。
- 導通特性：
- 柵極閾值電壓（VGS(th)）在VDS=VGS、ID=250μA時，最小值為2V，典型值為3V，最大值為4V。
- 漏源導通電阻（RDS(ON)）在VGS=10V、ID=40A時，最小值為4.9mΩ，最大值為6mΩ。
- 正向跨導（gFS）在VDS=25V、ID=57A時，最小值為90S。
- 動態特性：
- 輸入電容（Clss）最大值為6500pF。
- 輸出電容（Coss）最大值為520pF。
- 反向轉移電容（Crss）在VDS=25V、VGS=0V、F=1.0MHz時，最大值為460pF。
- 開關特性：
- 開通延遲時間（td(on)）最大值為26ns。
- 開通上升時間（tr）最大值為24ns。
- 關斷延遲時間（td(off)）最大值為91ns。
- 關斷下降時間（tf）最大值為39ns。
- 總柵極電荷（Qg）最大值為163nC。
- 柵極-源極電荷（Qgs）最大值為31nC。
- 柵極-漏極電荷（Qgd）在VDS=30V、ID=30A、VGS=10V時，最大值為64nC。
- 漏源二極管特性：
- 二極管正向電壓（VSD）在VGS=0V、IS=40A時，最大值為1.2V。
- 二極管正向電流（IS）最大值為120A。
- 反向恢復時間（trr）在TJ=25℃、IF=40A、di/dt=100A/μs時，最小值為42ns，最大值為60ns。
- 反向恢復電荷（Qrr）在TJ=25℃、IF=40A、di/dt=100A/μs時，最小值為66nC，最大值為80nC。
